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中國目前光刻機處于怎樣的水平？

如果荷蘭AMSL的光刻機是一流標(biāo)準(zhǔn)，日本的東芝是二流水平，則中國的光刻機應(yīng)當(dāng)在世界三流向二流過渡的水平。因為目前已透露的信息顯示14nm芯片制造需要的光刻機已在試制中，28nm的光刻機已制造完成………正在調(diào)整完善中。

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我國光刻機和荷蘭差距巨大，現(xiàn)在荷蘭asml光刻機已經(jīng)可以生產(chǎn)7nm的芯片，而我國的光刻機剛剛實現(xiàn)90nm的芯片光刻機功能，差距太大。至少差了五代的產(chǎn)品。

生產(chǎn)我國光刻機，代表光刻機生產(chǎn)最高水平的是上海微電子的前道光刻機，目前可以生產(chǎn)90nm芯片，而正在研發(fā)65nm的芯片設(shè)計，這樣的升級難度比從0到90nm低得多，所以預(yù)計很快就可以生產(chǎn)65nm和45nm的芯片了。

上海微電子的后道封裝光刻機已經(jīng)在銷售和出口了，賣的還不錯，這個領(lǐng)域全球市場占有率在40%，所以基礎(chǔ)的實力還是有的。

光刻機是生產(chǎn)制造芯片的關(guān)鍵設(shè)備，是利用光刻機發(fā)出的紫外光源通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的硅片曝光，使光刻膠性質(zhì)變化、達到圖形刻印在硅片上形成電子線路圖。

一、我國在光刻機制造行業(yè)里的位置。

光刻是最重要的制造芯片工藝技術(shù);光源是光刻機的核心、光刻機首先取決于光源的波長;鏡頭是核心部分。這三者技術(shù)先進程度、直接影響到芯片工藝和芯片性能。而這正是我國在光刻機制造技術(shù)上的弱項。

世界目前光刻機生產(chǎn)水平可分三個梯隊，第一梯隊：美國英特爾、荷蘭的ASML、第二梯隊：臺積電、三星、日本的尼康、佳能。

雖然中國目前高端芯片并不落后，但在性能和成本結(jié)合上沒能跟上高端芯片商業(yè)量產(chǎn)需要。所以，在高端光刻機生產(chǎn)制造上，以0.7nm為一個級數(shù)、從技術(shù)工藝和市場份額上看，我國堪稱是第三梯隊水平。

二、我國光刻機發(fā)展起步較早，基礎(chǔ)并不薄弱。

我國1958年中科院拉出了第一根硅單晶、即今天的硅晶圓，1965年中國研制出了65型接觸式光刻機，1977年GK一3半自動光刻機誕生，1980年清華大學(xué)研制出第四代分布式投影光刻機、精度達到了3微米、已接近國際主流水平，僅次于美國。

本來我們可以和ASML在EUV光刻機技術(shù)上一爭雄長，但現(xiàn)在落伍并被拉開了距離，原因多種、但路徑選擇上重視不夠肯定是重大因素。

如：出身于中科院計算機所的柳傳志應(yīng)說離光刻機和芯片最近，1984年聯(lián)想成立后卻最后選擇了貿(mào)工技路線，最后成了PC生產(chǎn)者和供應(yīng)商。而臺積電的張忠謀雖是機械系出身，看準(zhǔn)了半導(dǎo)體優(yōu)勢，開創(chuàng)了半導(dǎo)體代工行業(yè)、做成了行業(yè)翹楚之一。

三、我國光刻機現(xiàn)狀。

目前來看，我國自研的光刻機還依然處于制程工藝為90納米的水準(zhǔn)。

這個水準(zhǔn)的光刻機，隸屬于第四代步進掃描式光刻機，采用的是波長為193納米的，深紫外光ArF光源，其制程工藝在135納米-65納米之間。

與浸沒式光刻機相比差半代，與EUV光刻機相比差一代。

國內(nèi)這型制程工藝在90納米的光刻機，也就是由上海微電子生產(chǎn)的SSX-600/20型光刻機。

該光刻機采用了四倍縮小物鏡，自適應(yīng)調(diào)焦調(diào)平技術(shù)，六自由度工件臺掩膜臺技術(shù)，可以適應(yīng)8寸或者12寸的晶圓。

也就是說，目前國內(nèi)最先進的光刻機，也只能達到90納米的制程工藝，不過經(jīng)過多次曝光之后，估計制程工藝還會進一步縮小。

而國際上最先進的，制程工藝最低的，就是ASML集成的EUV光刻機。該光刻機的制程工藝已經(jīng)達到了7納米，采用了波長為13.5納米的EUV光源；鍍了近百層鉬和硅制成薄膜的反射鏡，而薄膜的粗糙度控制在零點幾納米級別；還有運動精度誤差控制在1.8納米的雙工件臺。以上只是EUV光刻機，最為重要的三大部件。而一整臺EUV光刻機是由10萬多個零部件，且還要經(jīng)過工程師上百萬次的調(diào)試，才可以交付使用。

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